1 产品概述：
2CZ10100A9是硅N型肖特基整流二极管，采用铂（Pt）金属
势垒，控制适当的VF和较低的反向漏电，终端采用G/R环结构，稳
定和提高反向击穿。
产品封装形式：TO-220F，符合RoHS指令要求。
2 产品特点：
竛 175℃工作结温，低漏电
竛 低的正向压降
竛 低的功率损耗，高效
竛 GR环保护设计
3 主要用途：
主要用于彩电、计算机二次电源整流，高频电源整流，以及在微波
通信等电路中用作整流二极管。
特征参数
VR100V
IF（AV）10A
VF（IF=5A）0.85V
4 电特性
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参 数 名 称
符号
额定值
单位
最大可重复峰值反向电压
VRRM
100
V
最大工作反向电压
VRWM
100
V
最大直流阻断电压
VR
100
V
平均整流电流
IF（AV）
10
A
不重复峰值浪涌电流
IFSM
120
A
可重复反向浪涌电流（2.0μs，1.0kHz）
IRRM
1.0
A
工作结温
Tj
175
℃
贮存温度
Tstg
-55～175
℃
电压变化率
dv/dt
10，000
V/μs
电参数
除非另有规定，Ta= 25℃
规 范 值
参数
符号
测 试 条 件
最小
最大
单位
击穿电压
VBR
IR=1mA
100
V
瞬态正向压降
VF
IF=5A Tj=25℃
IF=5A Tj=125℃
IF=10A Tj=25℃
IF=10A Tj=125℃
0.85
0.75
0.95
0.85
V
瞬态反向漏电流
IR
VR=100V Tj=125℃
VR=100V Tj=25℃
15
0.05
mA
a: 脉冲测试tp≤300μs,δ≤2%
