1、 概述与特点
· 多层金-半硅势垒结构，多数载流子导电； · 低功耗，高效率；
· 用于低压高频逆变电路，续流电 路和保护电路；
· 带过压（硼）保护环；
· 封装型式： TO-220A。
·
单管芯结构。
2、 极限值
2.1 极限值：（除其他标注外Tamb = 25℃）
参数
符号
数值 单位 最大反向重复峰值电压 VRRM 45
V 反向峰值工作电压 VRWM 45 V 最大直流阻断电压 VDC 45 V Tamb = 105℃ 整个器件最大正向平均整流电
流 IF(AV)
10 A 正向峰值浪涌电流（额定负载8.3ms半正弦波—
按JEDEC 方法）
IFSM
100 A 反向重复峰值浪涌电流
Tp = 2.0μs, 1KHZ IR
0.2 mA 最大结电容 0V,1MHz CJ (Max) 300 pF 工作结温 TJ -65～+150 ℃ 储存温度范围
TSTG
-65～+150
℃
储存温度范围
TSTG
-65～+150
℃
2.2、电性能（除其他标注外Tamb = 25°C
参数
符号 数值 单位 最大正向瞬态峰值压降 TF=10A ， Tamb=25℃
VF 0.65 V 最大反向瞬态电流 Tamb = 25°C IR 0.2
mA
